原子层沉积（Atomic Layer Deposition）

原子层沉积（ALD）是一种在材料表面精确控制薄膜生长的技术。它通过气态前驱体的交替脉冲反应，每次反应仅沉积一个原子层，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的高度精确控制。

原理

ALD的原理基于自限制表面反应。首先，一种气态前驱体脉冲进入反应腔，与基底表面的活性位点发生化学反应，形成单原子层。然后，通过惰性气体吹扫去除未反应的前驱体。接着，引入另一种气态前驱体，与已沉积的原子层反应，形成新的原子层，重复此过程即可生长出所需厚度的薄膜。

优势

• 高精度控制：能够精确控制薄膜的厚度，误差可控制在原子尺度。
• 优异的均匀性：可在大面积基底上实现均匀的薄膜沉积。
• 广泛的材料适用性：可沉积多种材料，包括金属氧化物、金属氮化物等。

应用领域

• 半导体制造：用于制造集成电路中的栅极介质、金属电极等。
• 光学涂层：制备高反射、高透射等功能性光学薄膜。
• 微机电系统（MEMS）：实现微结构的表面修饰和功能化。